近日，iPhone6s台积电与三星A9处理器的效能与续航力效能差异被热议，那么就来图解下苹果iPhone6s A9芯片之谜，为何三星的14nm会输给台积电16nm原因。
最近在亚洲果迷们最沸沸扬扬的议题，非“iPhone6s台积电与三星A9处理器的效能与续航力效能差异”莫属。网友针对台积电与三星代工的A9处理器做测试，在效能的跑分或是手机的续航力表现，16纳米的台积电A9处理器明显赢过14纳米的三星 A9处理器(测试状况详见这里)，虽然苹果官方已表示不同代工厂出货的A9芯片都符合Apple标准，根据官方测试实际电池续航力，两者差异仅在2-3%之间，不过似乎无法平息亚洲地区果迷们的疑虑，香港果粉甚至已酝酿换机或退机风潮。
三星采用的是较新的14纳米制程理论上不但在成本上占优势，效能上也会赢过台积电所使用的则是16纳米制程。不过，就实际使用的效能实测结果来看，不管是苹果官方认证的2-3%之间实际电池续航力或是网友实测的近两小时差异，台积电所代工A9的处理器胜过三星代工A9处理器却是不争的事实。为何台积电16纳米A9处理器会胜过三星14纳米A9处理器？以下整理网路的相关资讯及版主个人见解，供大家参考。
1. FinFET制程是什么?
FinFET(Fin Field-Effect Transistor，鳍式场效电晶体)是新型的多重闸道3D电晶体，是曾任台积电技术长的柏克莱电机系教授胡正明所发明。FinFET源自于目前传统标准的晶体管—场效晶体管(Field-effecttransistor；FET)的一项创新设计。在传统晶体管结构中，控制电流通过的闸门，只能在闸门的一侧控制电路的接通与断开，属于平面的架构。在FinFET的架构中，闸门成类似鱼鳍的叉状3D架构，可于电路的两侧控制电路的接通与断开。这种设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流(leakage)，也可以大幅缩短晶体管的闸长。
根据三星官方说法，三星 14nmFinFET制程在Low Vdd与Less Delay上的表现会优于台积电(TSMC) 20nm Planner。
三星 14nmFinFET制程与台积电16nm FinFET制程相比，三星14nm制程的晶体Die Size较小，相同良率下，成本会较占优势。Ptt网路爆料，台积电的A9芯片报价大约是22美元，三星的报价则可能低30%~50%，版主则认为三星报价可能低10~20%。不过，三星的良率因不如台积电，三星的供应量无法满足苹果大量的供给需求，两家业者目前对苹果的供应占比仍在伯仲之间。
